Framleiðandi Vöru númer:
SI2325DS-T1-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SI2325DS-T1-E3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 150 V 530mA (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Birgðir:
17042 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13059535
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SI2325DS-T1-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Umbúðir
Tape & Reel (TR)
Staða hluta
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
530mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
510 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
750mW (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-23-3 (TO-236)
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grunnvörunúmer
SI2325
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI2325DST1E3
SI2325DS-T1-E3TR
SI2325DS-T1-E3CT
SI2325DS-T1-E3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI1417EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
SI6467BDQ-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
SI4348DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
