Framleiðandi Vöru númer:
SUP57N20-33-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SUP57N20-33-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 57A (Tc) 3.75W (Ta), 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
478 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12921123
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SUP57N20-33-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
57A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5100 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.75W (Ta), 300W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SUP57
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SUP57N2033E3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHP15N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
SIA411DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
SIHG14N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
