Framleiðandi Vöru númer:
SIHG14N50D-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHG14N50D-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 14A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC
Birgðir:
12921132
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHG14N50D-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1144 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
208W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SIHG14
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
SIHG14N50DE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SIHG14N50D-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
491
HLUTARNÁMR
SIHG14N50D-GE3-DG
Einingaverð
1.36
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
IXFH20N50P3
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
146
HLUTARNÁMR
IXFH20N50P3-DG
Einingaverð
2.74
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STW14NK50Z
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
66
HLUTARNÁMR
STW14NK50Z-DG
Einingaverð
1.95
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXTH24N50L
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXTH24N50L-DG
Einingaverð
26.61
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
ZVN3320ASTOA
MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
DMS2220LFDB-7
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN
SIHJ7N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8
