SIHG14N50D-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIHG14N50D-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIHG14N50D-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 14A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC

Birgðir:

491 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12917313
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIHG14N50D-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1144 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
208W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SIHG14

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
500

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
IXFH20N50P3
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
146
HLUTARNÁMR
IXFH20N50P3-DG
Einingaverð
2.74
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STW14NK50Z
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
66
HLUTARNÁMR
STW14NK50Z-DG
Einingaverð
1.95
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SIRA52ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK

vishay-siliconix

SI3446ADV-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP

vishay-siliconix

SI4466DY-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 9.5A 8SO

nexperia

PMV15ENEAR

MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB