Framleiðandi Vöru númer:
SQP120N06-3M5L_GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SQP120N06-3M5L_GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
12917147
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SQP120N06-3M5L_GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
330 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
14700 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
250W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SQP120
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SQP120N06-3M5L_GE3DKR-DG
SQP120N06-3M5L_GE3CT-DG
SQP120N06-3M5L_GE3TR-DG
SQP120N06-3M5L_GE3TR
SQP120N06-3M5L_GE3DKRINACTIVE
SQP120N06-3M5L_GE3DKR
SQP120N06-3M5L_GE3CT
SQP120N06-3M5L_GE3TRINACTIVE
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
DMT6004SCT
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
47
HLUTARNÁMR
DMT6004SCT-DG
Einingaverð
0.75
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FDP032N08
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
924
HLUTARNÁMR
FDP032N08-DG
Einingaverð
2.65
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI9434BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO
SIB452DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
SI3433CDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
