Framleiðandi Vöru númer:
SIB452DK-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIB452DK-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 190 V 1.5A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Birgðir:
49100 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12917158
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIB452DK-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
190 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
6.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
135 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SC-75-6
Pakki / hulstur
PowerPAK® SC-75-6
Grunnvörunúmer
SIB452
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIB452DK-T1-GE3DKR
SIB452DKT1GE3
SIB452DK-T1-GE3CT
SIB452DK-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI3433CDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
SQ3425EV-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
SIS478DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
