Framleiðandi Vöru númer:
SQM120N10-3M8_GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SQM120N10-3M8_GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
300 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12918176
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SQM120N10-3M8_GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
7230 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
375W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
SQM120
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Önnur nöfn
SQM120N10-3M8_GE3DKR
SQM120N10-3M8_GE3-DG
SQM120N10-3M8_GE3CT
SQM120N10-3M8_GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPB049N08N5ATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
1859
HLUTARNÁMR
IPB049N08N5ATMA1-DG
Einingaverð
0.92
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
BUK765R0-100E,118
FRAMLEIÐANDI
Nexperia USA Inc.
Fjöldi í boði
15619
HLUTARNÁMR
BUK765R0-100E,118-DG
Einingaverð
1.73
VÖRUVAL
Direct
DIGI vottun
Tengdar vörur
PSMN014-80YLX
MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
SI6415DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
SQJ840EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
