IPB049N08N5ATMA1
Framleiðandi Vöru númer:

IPB049N08N5ATMA1

Product Overview

Framleiðandi:

Infineon Technologies

Völu númer:

IPB049N08N5ATMA1-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Birgðir:

1859 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800740
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IPB049N08N5ATMA1 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 66µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3770 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB049

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
2156-IPB049N08N5ATMA1
448-IPB049N08N5ATMA1CT
448-IPB049N08N5ATMA1TR
IPB049N08N5ATMA1-DG
INFINFIPB049N08N5ATMA1
SP001227052
448-IPB049N08N5ATMA1DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
infineon-technologies

IPD50N06S2L13ATMA2

MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31

infineon-technologies

IPD06P005NSAUMA1

MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3

infineon-technologies

IPB120N06S403ATMA1

MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

infineon-technologies

IPD06P002NSAUMA1

MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3