Framleiðandi Vöru númer:
IPB049N08N5ATMA1
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPB049N08N5ATMA1-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Birgðir:
1859 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12800740
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPB049N08N5ATMA1 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 66µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3770 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
125W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO263-3
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IPB049
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
2156-IPB049N08N5ATMA1
448-IPB049N08N5ATMA1CT
448-IPB049N08N5ATMA1TR
IPB049N08N5ATMA1-DG
INFINFIPB049N08N5ATMA1
SP001227052
448-IPB049N08N5ATMA1DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD50N06S2L13ATMA2
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
IPD06P005NSAUMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
IPB120N06S403ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3