Framleiðandi Vöru númer:
SQM110N05-06L_GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SQM110N05-06L_GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 55 V 110A (Tc) 157W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
1525 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12787224
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SQM110N05-06L_GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
55 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4440 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
157W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
SQM110
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Önnur nöfn
SQM110N05-06L_GE3TR
SQM110N05-06L_GE3DKR
SQM110N05-06L-GE3-DG
SQM110N05-06L-GE3
SQM110N05-06L_GE3-DG
SQM110N05-06L_GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIRC04DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SQV120N06-4M7L_GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
SIS406DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
