Framleiðandi Vöru númer:
SQV120N06-4M7L_GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SQV120N06-4M7L_GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262-3
Birgðir:
12787244
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SQV120N06-4M7L_GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
8800 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
250W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262-3
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
SQV120
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIS406DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
SQS407ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
SIHB21N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
