Framleiðandi Vöru númer:
SQJ200EP-T1_GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SQJ200EP-T1_GE3-DG
Lýsing:
MOSFET 2N-CH 20V 20A PPAK SO8
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 20V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Birgðir:
9431 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12965786
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SQJ200EP-T1_GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Dual)
FET eiginleiki
-
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
20A, 60A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
18nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
975pF @ 10V
Kraftur - hámark
27W, 48W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8 Dual
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grunnvörunúmer
SQJ200
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SQJ200EP-T1_GE3CT
SQJ200EP-T1_GE3DKR
SQJ200EP-T1_GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4948BEY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8SOIC
SI4814BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
SQJ910AEP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK SO8
