SI7900AEDN-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SI7900AEDN-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SI7900AEDN-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

Birgðir:

RFQ á netinu
12965883
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SI7900AEDN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
-
Kraftur - hámark
1.5W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8 Dual
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8 Dual
Grunnvörunúmer
SI7900

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
SI7900AEDN-T1-GE3-DG
Gagnaplakks
SI7900AEDN-T1-GE3
Gagnablöð
SI7900AEDN

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SI7900AEDN-T1-GE3CT
SI7900AEDN-T1-GE3TR
SI7900AEDNT1GE3
SI7900AEDN-T1-GE3DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SI5517DU-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

vishay-siliconix

SI1034CX-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89

goford-semiconductor

G33N03D3

MOSFET 2N-CH 30V 30A 8DFN

goford-semiconductor

G33N03D3

MOSFET 2N-CH 30V 30A 8DFN