SQD50P08-28_GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SQD50P08-28_GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SQD50P08-28_GE3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 80 V 48A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Birgðir:

7214 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12915939
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SQD50P08-28_GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
48A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6035 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
136W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SQD50

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
SQD50P08-28_GE3-DG
Gagnaplakks
SQD50P08-28_GE3
Gagnablöð
SQD50P08-28

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
SQD50P08-28_GE3DKR
SQD50P08-28_GE3TR
SQD50P08-28_GE3-DG
SQD50P08-28_GE3CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SQD50P03-07_GE3

MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA

vishay-siliconix

SUP80090E-GE3

MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB

vishay-siliconix

SI7137DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7456CDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8