Framleiðandi Vöru númer:
SUP80090E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SUP80090E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 150 V 128A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
12915941
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SUP80090E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
ThunderFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
128A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
9.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3425 pF @ 75 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
375W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SUP80090
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
SUP80090E-GE3CT-DG
SUP80090E-GE3TR-DG
SUP80090E-GE3TRINACTIVE
SUP80090E-GE3TR
SUP80090E-GE3DKRINACTIVE
SUP80090E-GE3DKR
SUP80090E-GE3DKR-DG
SUP80090E-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI7137DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
SI7456CDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
SI7172ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
