Framleiðandi Vöru númer:
SQD50N04-5M6_GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SQD50N04-5M6_GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Birgðir:
12786790
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SQD50N04-5M6_GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4000 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
71W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SQD50
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
SQD50N04-5M6_GE3-DG
SQD50N04-5M6_GE3TR
SQD50N04-5M6-GE3
SQD50N04-5M6_GE3CT
SQD50N04-5M6_GE3DKR
SQD50N04-5M6-GE3-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FDD8453LZ
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
705
HLUTARNÁMR
FDD8453LZ-DG
Einingaverð
0.83
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
SQD50N04-5M6_T4GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
42117
HLUTARNÁMR
SQD50N04-5M6_T4GE3-DG
Einingaverð
0.55
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIR438DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
SIHA21N65EF-E3
MOSFET N-CH 650V 21A TO220
SQJQ410EL-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
