Framleiðandi Vöru númer:
SIHA21N65EF-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHA21N65EF-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 21A TO220
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Birgðir:
12786800
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHA21N65EF-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2322 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
35W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220 Full Pack
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
SIHA21
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQJQ410EL-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
SIHB12N60ET5-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
SIHB12N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
