Framleiðandi Vöru númer:
SISS98DN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SISS98DN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 14.1A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Birgðir:
12954780
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SISS98DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
ThunderFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
14.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
14 nC @ 7.5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
608 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
57W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SISS98
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SISS98DN-T1-GE3DKR
SISS98DN-T1-GE3CT
SISS98DN-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
AUIRFR5505TRL
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
C3M0120065K
650V 120M SIC MOSFET
UF3C120150K4S
SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
