C3M0120065K

Framleiðandi Vöru númer:

C3M0120065K

Product Overview

Framleiðandi:

Wolfspeed, Inc.

Völu númer:

C3M0120065K-DG

Lýsing:

650V 120M SIC MOSFET

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 650 V 22A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Birgðir:

607 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12954796

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

C3M0120065K Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Wolfspeed

Pakkning

Tube

Röð

C3M™

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

SiCFET (Silicon Carbide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

650 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

22A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

157mOhm @ 6.76A, 15V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.6V @ 1.86mA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

28 nC @ 15 V

Vgs (hámark)

+19V, -8V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

640 pF @ 400 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

98W (Tc)

Hitastig rekstrar

-40°C ~ 175°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Through Hole

Birgir tæki pakki

TO-247-4L

Pakki / hulstur

TO-247-4

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

30

Önnur nöfn

1697-C3M0120065K

-3312-C3M0120065K

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

Not Applicable

REACH staða

REACH Affected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

unitedsic

UF3C120150K4S

SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4

diodes

ZXMP3A16GTA

MOSFET P-CH 30V 5.4A SOT223

toshiba-semiconductor-and-storage

TK090U65Z,RQ

DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ

infineon-technologies

IPP60R600P7

N-CHANNEL POWER MOSFET