Framleiðandi Vöru númer:
SISA26DN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SISA26DN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 25 V 60A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Birgðir:
5682 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12787010
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SISA26DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
25 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.65mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+16V, -12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2247 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
39W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SISA26
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SISA26DN-T1-GE3TR
SISA26DN-T1-GE3DKR
SISA26DN-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIE882DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK
SIHG40N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
SIHH100N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A PPAK 8 X 8
