Framleiðandi Vöru númer:
SIHG40N60E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHG40N60E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 40A (Tc) 329W (Tc) Through Hole TO-247AC
Birgðir:
809 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12787022
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHG40N60E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
197 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4436 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
329W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SIHG40
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
25
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHH100N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A PPAK 8 X 8
SIJ800DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
SIHP065N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
