Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Frakkland
Spánn
Tyrkland
Moldóva
Litháen
Noregur
Þýskaland
Portúgal
Slóvakía
LTALY
Finnland
Rússneska
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Serbía
Hvíta Rússland
Holland
Svíþjóð
Svartfjallaland
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Rúmenía
Austurríki
Belgía
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Lýðveldið Kongó
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Angóla
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Argentína
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
SIS776DN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIS776DN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Birgðir:
RFQ á netinu
12787581
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIS776DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
SkyFET®, TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1360 pF @ 15 V
FET eiginleiki
Schottky Diode (Body)
Afl leiðni (hámark)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Hitastig rekstrar
-50°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SIS776
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
SIS776DN-T1-GE3-DG
Gagnaplakks
SIS776DN-T1-GE3
Gagnablöð
SIS776DN-T1-GE3
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
RQ3E130BNTB
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
1954
HLUTARNÁMR
RQ3E130BNTB-DG
Einingaverð
0.15
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
CSD17578Q3A
FRAMLEIÐANDI
Texas Instruments
Fjöldi í boði
24950
HLUTARNÁMR
CSD17578Q3A-DG
Einingaverð
0.18
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
CSD17578Q3AT
FRAMLEIÐANDI
Texas Instruments
Fjöldi í boði
1956
HLUTARNÁMR
CSD17578Q3AT-DG
Einingaverð
0.46
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
CSD17552Q3A
FRAMLEIÐANDI
Texas Instruments
Fjöldi í boði
2037
HLUTARNÁMR
CSD17552Q3A-DG
Einingaverð
0.32
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STL11N3LLH6
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
2745
HLUTARNÁMR
STL11N3LLH6-DG
Einingaverð
0.49
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQM40022E_GE3
MOSFET N-CH 40V 150A TO263
SIHW47N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
SIHB33N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
SIHG47N60AEF-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC