Framleiðandi Vöru númer:
RQ3E130BNTB
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
RQ3E130BNTB-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Birgðir:
1954 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13526443
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
RQ3E130BNTB Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
13A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1900 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-HSMT (3.2x3)
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Grunnvörunúmer
RQ3E130
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
RQ3E130BNTBDKR
RQ3E130BNTBCT
RQ3E130BNTBTR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
TPN6R003NL,LQ
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
2966
HLUTARNÁMR
TPN6R003NL,LQ-DG
Einingaverð
0.30
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
DMT3006LFV-13
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
2940
HLUTARNÁMR
DMT3006LFV-13-DG
Einingaverð
0.21
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
DMT3006LFG-7
FRAMLEIÐANDI
Diodes Incorporated
Fjöldi í boði
3626
HLUTARNÁMR
DMT3006LFG-7-DG
Einingaverð
0.24
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
QS5U17TR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
RDN100N20FU6
MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN
RQ6E080AJTCR
MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
