Framleiðandi Vöru númer:
SIR424DP-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIR424DP-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 30A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
3000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12786268
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIR424DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1250 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIR424
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIR424DP-T1-GE3CT
SIR424DP-T1-GE3TR
SIR424DP-T1-GE3DKR
SIR424DP-T1-GE3-DG
SIR424DPT1GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIR466DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIS626DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK1212-8
SIHG17N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
