Framleiðandi Vöru númer:
SIS626DN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIS626DN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK1212-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 25 V 16A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Birgðir:
12786279
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIS626DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
25 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1925 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
52W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SIS626
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SISH112DN-T1-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
5870
HLUTARNÁMR
SISH112DN-T1-GE3-DG
Einingaverð
0.51
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHG17N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
SIR108DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK
SQD50N04-09H-GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
