SIR112DP-T1-RE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIR112DP-T1-RE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIR112DP-T1-RE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 37.6A (Ta), 133A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Birgðir:

12787538
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIR112DP-T1-RE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
37.6A (Ta), 133A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.96mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+20V, -16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4270 pF @ 20 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIR112

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIR112DP-T1-RE3TR
SIR112DP-T1-RE3CT
SIR112DP-T1-RE3DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
RS3L045GNGZETB
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
1173
HLUTARNÁMR
RS3L045GNGZETB-DG
Einingaverð
0.25
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
RS6G120BGTB1
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
2094
HLUTARNÁMR
RS6G120BGTB1-DG
Einingaverð
1.48
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
RQ3G100GNTB
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
112698
HLUTARNÁMR
RQ3G100GNTB-DG
Einingaverð
0.14
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
RS1G150MNTB
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
RS1G150MNTB-DG
Einingaverð
0.32
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
RQ3E180GNTB
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
4770
HLUTARNÁMR
RQ3E180GNTB-DG
Einingaverð
0.21
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SIHP22N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

vishay-siliconix

SIHA15N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 15A TO220

vishay-siliconix

SUP50020EL-GE3

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

vishay-siliconix

SUM110N06-3M4L-E3

MOSFET N-CH 60V 110A TO263