Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Lýðveldið Kongó
Argentína
Tyrkland
Rúmenía
Litháen
Noregur
Austurríki
Angóla
Slóvakía
LTALY
Finnland
Hvíta Rússland
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Svartfjallaland
Rússneska
Belgía
Svíþjóð
Serbía
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Moldóva
Þýskaland
Holland
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Frakkland
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Portúgal
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Spánn
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
SIR112DP-T1-RE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIR112DP-T1-RE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 37.6A (Ta), 133A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
RFQ á netinu
12787538
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIR112DP-T1-RE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
37.6A (Ta), 133A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.96mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+20V, -16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4270 pF @ 20 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIR112
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
SIR112DP-T1-RE3-DG
Gagnaplakks
SIR112DP-T1-RE3
Gagnablöð
SIR112DP
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIR112DP-T1-RE3TR
SIR112DP-T1-RE3CT
SIR112DP-T1-RE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
RS3L045GNGZETB
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
1173
HLUTARNÁMR
RS3L045GNGZETB-DG
Einingaverð
0.25
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
RS6G120BGTB1
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
2094
HLUTARNÁMR
RS6G120BGTB1-DG
Einingaverð
1.48
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
RQ3G100GNTB
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
112698
HLUTARNÁMR
RQ3G100GNTB-DG
Einingaverð
0.14
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
RS1G150MNTB
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
RS1G150MNTB-DG
Einingaverð
0.32
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
RQ3E180GNTB
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
4770
HLUTARNÁMR
RQ3E180GNTB-DG
Einingaverð
0.21
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHP22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
SIHA15N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
SUP50020EL-GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
SUM110N06-3M4L-E3
MOSFET N-CH 60V 110A TO263