Framleiðandi Vöru númer:
RQ3E180GNTB
Product Overview
Framleiðandi:
Rohm Semiconductor
Völu númer:
RQ3E180GNTB-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 39A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Birgðir:
4770 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13526567
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
RQ3E180GNTB Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
ROHM Semiconductor
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
18A (Ta), 39A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
22.4 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1520 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta), 20W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
8-HSMT (3.2x3)
Pakki / hulstur
8-PowerVDFN
Grunnvörunúmer
RQ3E180
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
RQ3E180GNTBTR
RQ3E180GNTBDKR
RQ3E180GNTBCT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
RD3G500GNTL
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
RXH125N03TB1
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP
R6025ANZC8
MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
