Framleiðandi Vöru númer:
SIJ188DP-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIJ188DP-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.4A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 25.5A (Ta), 92.4A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
3440 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12786958
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIJ188DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
25.5A (Ta), 92.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.85mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1920 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIJ188
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIJ188DP-T1-GE3TR
SIJ188DP-T1-GE3DKR
SIJ188DP-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHD6N62E-GE3
MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
SIR610DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
SIR164DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
