Framleiðandi Vöru númer:
SIHF7N60E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHF7N60E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Birgðir:
12786972
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHF7N60E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
680 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
31W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220 Full Pack
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
SIHF7
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SIHF7N60E-GE3DKR
SIHF7N60E-GE3DKR-DG
SIHF7N60E-GE3TRINACTIVE
SIHF7N60E-GE3CT
SIHF7N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHF7N60E-GE3CT-DG
SIHF7N60E-GE3TR
SIHF7N60E-GE3TR-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
V30406-T1-GE3
MOSFET N-CH SMD
SIR642DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
SIR188DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK
