SIHH11N60EF-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIHH11N60EF-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIHH11N60EF-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

Birgðir:

1825 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12786980
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIHH11N60EF-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
357mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1078 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
114W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 8 x 8
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
SIHH11

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIHH11N60EF-T1-GE3CT
SIHH11N60EF-T1-GE3DKR
SIHH11N60EF-T1-GE3TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SIB437EDKT-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 9A PPAK TSC75-6

vishay-siliconix

SIHP12N50C-E3

MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB

vishay-siliconix

SIHA25N50E-E3

MOSFET N-CH 500V 26A TO220

vishay-siliconix

SIR172DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8