Framleiðandi Vöru númer:
SIB437EDKT-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIB437EDKT-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK TSC75-6
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 8 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® TSC75-6
Birgðir:
12786981
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIB437EDKT-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
8 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±5V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® TSC75-6
Pakki / hulstur
PowerPAK® TSC-75-6
Grunnvörunúmer
SIB437
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIB437EDKT-T1-GE3-DG
SIB437EDKT-T1-GE3TR
SIB437EDKT-T1-GE3CT
SIB437EDKT-T1-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHP12N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
SIHA25N50E-E3
MOSFET N-CH 500V 26A TO220
SIR172DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8