Framleiðandi Vöru númer:
SIHU7N60E-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHU7N60E-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 7A TO251
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-251AA
Birgðir:
12921029
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHU7N60E-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
680 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
78W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-251AA
Pakki / hulstur
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grunnvörunúmer
SIHU7
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPSA70R600P7SAKMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IPSA70R600P7SAKMA1-DG
Einingaverð
0.27
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHP24N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
SQJ469EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
SISS26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
