Framleiðandi Vöru númer:
SISS26DN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SISS26DN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Birgðir:
13959 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12921080
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SISS26DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1710 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
57W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8S
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8S
Grunnvörunúmer
SISS26
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SISS26DN-T1-GE3DKR
SISS26DN-T1-GE3TR
SISS26DN-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
2N7002L
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
SIJ400DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8
PSMN7R0-100BS,118
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
