Framleiðandi Vöru númer:
SIHP6N80E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHP6N80E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 5.4A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
12965930
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHP6N80E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
940mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
827 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
78W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SIHP6
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SIHP6N80E-BE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
500
HLUTARNÁMR
SIHP6N80E-BE3-DG
Einingaverð
0.91
VÖRUVAL
Direct
Partanúmer
STP7N80K5
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
860
HLUTARNÁMR
STP7N80K5-DG
Einingaverð
0.98
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SUG80050E-GE3
MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
ISZ0602NLSATMA1
MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
ISC0803NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 8.8A/37A 8TDSON