Framleiðandi Vöru númer:
SUG80050E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SUG80050E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 150 V 100A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AC
Birgðir:
2287 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12965934
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SUG80050E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
ThunderFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
150 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6250 pF @ 75 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
500W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SUG80050
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
SUG80050E-GE3TR-DG
SUG80050E-GE3DKRINACTIVE
SUG80050E-GE3TRINACTIVE
SUG80050E-GE3DKR-DG
SUG80050E-GE3CT
SUG80050E-GE3TR
SUG80050E-GE3CT-DG
SUG80050E-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
ISZ0602NLSATMA1
MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
ISC0803NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 8.8A/37A 8TDSON
ISZ0804NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON