Framleiðandi Vöru númer:
SIHP6N65E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHP6N65E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
12919205
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHP6N65E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
820 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
78W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SIHP6
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SPA11N80C3XKSA2
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
206
HLUTARNÁMR
SPA11N80C3XKSA2-DG
Einingaverð
1.26
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SUP70101EL-GE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB
SQM60030E_GE3
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
SIS862ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
