SIS862ADN-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIS862ADN-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIS862ADN-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 15.8A (Ta), 52A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Birgðir:

11285 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12919216
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIS862ADN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
15.8A (Ta), 52A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1235 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.6W (Ta), 39W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SIS862

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
SIS862ADN-T1-GE3-DG
Gagnaplakks
SIS862ADN-T1-GE3
Gagnablöð
SIS862ADN Datasheet

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIS862ADN-T1-GE3CT
SIS862ADN-T1-GE3TR
SIS862ADN-T1-GE3DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SQS484ENW-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SI4190ADY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

vishay-siliconix

SUM70060E-GE3

MOSFET N-CH 100V 131A TO263

vishay-siliconix

SUP60N10-18P-E3

MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB