Framleiðandi Vöru númer:
SIHP5N50D-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHP5N50D-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
12916423
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHP5N50D-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
5.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
325 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
104W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SIHP5
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
SIHP5N50D-E3TR-DG
SIHP5N50D-E3CT-DG
SIHP5N50D-E3CT
SIHP5N50D-E3TR
SIHP5N50DE3
SIHP5N50D-E3TRINACTIVE
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIA465EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
SQJA42EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
SIB412DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6