SQJA42EP-T1_GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SQJA42EP-T1_GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SQJA42EP-T1_GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 20A (Tc) 27W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Birgðir:

12916425
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SQJA42EP-T1_GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
9.4mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1700 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
27W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SQJA42

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SQJA42EP-T1_GE3DKR
SQJA42EP-T1_GE3CT
SQJA42EP-T1_GE3TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SIB412DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6

vishay-siliconix

SIAA00DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK

vishay-siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK

vishay-siliconix

SIHG28N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 28A TO247AC