Framleiðandi Vöru númer:
SIHP24N80AEF-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHP24N80AEF-GE3-DG
Lýsing:
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
12975427
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHP24N80AEF-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
EF
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
195mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1889 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
208W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
742-SIHP24N80AEF-GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SIHG24N80AEF-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
396
HLUTARNÁMR
SIHG24N80AEF-GE3-DG
Einingaverð
2.14
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
PH3830DLX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
SISA14BDN-T1-GE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
RJ1L12BGNTLL
NCH 60V 120A POWER MOSFET : RJ1L
