Framleiðandi Vöru númer:
SISA14BDN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SISA14BDN-T1-GE3-DG
Lýsing:
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 72A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Birgðir:
14020 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12975447
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SISA14BDN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
21A (Ta), 72A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.38mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+20V, -16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
917 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.8W (Ta), 45W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SISA14BDN-T1-GE3DKR
742-SISA14BDN-T1-GE3CT
742-SISA14BDN-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
RJ1L12BGNTLL
NCH 60V 120A POWER MOSFET : RJ1L
MSC080SMA120SA
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
PMPB45EPAX
MOSFET P-CH 40V 6A DFN
