Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Frakkland
Spánn
Tyrkland
Moldóva
Litháen
Noregur
Þýskaland
Portúgal
Slóvakía
LTALY
Finnland
Rússneska
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Serbía
Hvíta Rússland
Holland
Svíþjóð
Svartfjallaland
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Rúmenía
Austurríki
Belgía
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Lýðveldið Kongó
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Angóla
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Argentína
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
SIHP14N50D-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHP14N50D-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 14A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
RFQ á netinu
12917796
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHP14N50D-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1144 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
208W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SIHP14
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
SIHP14N50D-GE3-DG
Gagnaplakks
SIHP14N50D-GE3
Gagnablöð
SiHP14N50D
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STP12N50M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
850
HLUTARNÁMR
STP12N50M2-DG
Einingaverð
0.64
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STP15NK50Z
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
942
HLUTARNÁMR
STP15NK50Z-DG
Einingaverð
1.20
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
SIHG14N50D-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
491
HLUTARNÁMR
SIHG14N50D-GE3-DG
Einingaverð
1.36
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
STP14NK50Z
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
964
HLUTARNÁMR
STP14NK50Z-DG
Einingaverð
1.77
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXTP16N50P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
34
HLUTARNÁMR
IXTP16N50P-DG
Einingaverð
2.07
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI3424BDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
SQM40014EM_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
SI2307CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
VS-FC270SA20
MOSFET N-CH 200V 287A SOT227