Framleiðandi Vöru númer:
SIHP12N50E-BE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHP12N50E-BE3-DG
Lýsing:
N-CHANNEL 500V
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
982 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12999545
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHP12N50E-BE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
886 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
114W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
742-SIHP12N50E-BE3
742-SIHP12N50E-BE3TR-DG
742-SIHP12N50E-BE3TR
742-SIHP12N50E-BE3CTINACTIVE
742-SIHP12N50E-BE3DKRINACTIVE
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
NTH4L040N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
G7P03S
MOSFET P-CH 30V 9A SOP-8
GT025N06D5
MOSFET N-CH 60V 170A DFN5*6-8L
