Framleiðandi Vöru númer:
NTH4L040N120M3S
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
NTH4L040N120M3S-DG
Lýsing:
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 54A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Birgðir:
333 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12999546
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
NTH4L040N120M3S Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
SiCFET (Silicon Carbide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
54A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
54mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 10mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
75 nC @ 18 V
Vgs (hámark)
+22V, -10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1700 pF @ 800 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
231W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247-4L
Pakki / hulstur
TO-247-4
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
450
Önnur nöfn
488-NTH4L040N120M3S
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
G7P03S
MOSFET P-CH 30V 9A SOP-8
GT025N06D5
MOSFET N-CH 60V 170A DFN5*6-8L
SQJ433EP-T1_BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
