Framleiðandi Vöru númer:
SIHLR120-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHLR120-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Birgðir:
13277346
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHLR120-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 4.6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
490 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SIHLR120
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SIHLR120-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRLR120TRPBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
4781
HLUTARNÁMR
IRLR120TRPBF-DG
Einingaverð
0.55
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHF530-GE3
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
SQD45P03-12-T4_GE3
MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
SQJ412EP-T2_GE3
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8