SIHF530-GE3

Framleiðandi Vöru númer:

SIHF530-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIHF530-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 100 V 14A (Tc) 88W (Tc) Through Hole TO-220AB

Birgðir:

RFQ á netinu

13277347

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SIHF530-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

-

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

100 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

14A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

26 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

670 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

88W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 175°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Through Hole

Birgir tæki pakki

TO-220AB

Pakki / hulstur

TO-220-3

Grunnvörunúmer

SIHF530

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

1,000

Önnur nöfn

742-SIHF530-GE3DKR-ND

742-SIHF530-GE3CT

742-SIHF530-GE3TR

742-SIHF530-GE3DKR

742-SIHF530-GE3DKRINACTIVE

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

SQD45P03-12-T4_GE3

MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA

SQJ412EP-T2_GE3

MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

SQD50P03-07-T4_GE3

MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA

vishay-siliconix

SQJ418EP-T2_GE3

MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8