Framleiðandi Vöru númer:
SIHH21N60E-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHH21N60E-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 20A PPAK 8 X 8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Birgðir:
12787268
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHH21N60E-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
176mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2015 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
104W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 8 x 8
Pakki / hulstur
8-PowerTDFN
Grunnvörunúmer
SIHH21
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIHH21N60E-T1-GE3CT
SIHH21N60E-T1-GE3DKR
SIHH21N60E-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SISA12ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
SIHH24N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8
SIRC18DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8