Framleiðandi Vöru númer:
SISA18ADN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SISA18ADN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 38.3A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Birgðir:
14471 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12787288
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SISA18ADN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
38.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+20V, -16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1000 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SISA18
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SISA18ADN-T1-GE3CT
SISA18ADN-T1-GE3TR
SISA18ADN-T1-GE3-DG
SISA18ADN-T1-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SISA18DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
SIHD5N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 5.3A DPAK
SQD15N06-42L_GE3
MOSFET N-CH 60V 15A TO252
