Framleiðandi Vöru númer:
SIHG25N60EFL-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHG25N60EFL-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Birgðir:
12917787
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHG25N60EFL-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
146mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2274 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
250W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SIHG25
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STW28N60M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
96
HLUTARNÁMR
STW28N60M2-DG
Einingaverð
1.56
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FCH165N60E
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
473
HLUTARNÁMR
FCH165N60E-DG
Einingaverð
2.86
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHG33N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
SIHP14N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
SI3424BDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
