Framleiðandi Vöru númer:
SIHG21N80AE-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHG21N80AE-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 17.4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-247AC
Birgðir:
495 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12787658
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHG21N80AE-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
17.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
235mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1388 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
32W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SIHG21
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
25
Önnur nöfn
2266-SIHG21N80AE-GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQM40N10-30_GE3
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
SISS26LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK
SIS778DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
