Framleiðandi Vöru númer:
SIS778DN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIS778DN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 35A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Birgðir:
12787670
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIS778DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
42.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1390 pF @ 15 V
FET eiginleiki
Schottky Diode (Body)
Afl leiðni (hámark)
52W (Tc)
Hitastig rekstrar
-50°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SIS778
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SISA40DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK
SIHG80N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
SQJQ100EL-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
